英飞凌IGBT芯片技术又升级换代了？
驱动芯片 基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200V TRENCHSTOP™ IGBT7，同时采用最新EmCon 7二极管芯片与之搭配成IGBT开关，带来功率器件领域的革命性变革。 想先人一步领略新品魅力?敬请莅临6月25日举行的2018 英飞凌功率半导体技术研讨会上海站，我们将在下午变频驱动分会场上进行IGBT7技术特性的首次国内宣讲，揭开英飞凌下一代IGBT的神秘面纱。 IGBT7和EmCon7 针对工业电机驱动应用进行芯片优化设计，进一步减少器件稳态损耗，可实现更高功率密度，同时兼顾了芯片的软特性。此外，过载条件下允许的最高工作结温将提升至175 °C，实现同等封装下输出电流能力增大40%。 突出特性 • 最低的通态压降Vce(sat)和Vf • 过载条件下支持175 °C最高虚拟结温 • 在满足dv/dt=5kV/us的前提下，优化器件开关损耗 • 满足8us短路耐受时间 • 续流二极管FWD可靠性增强 客户收益 • 低损耗满足系统提高效率的需求 • 优化的设计同时兼顾低损耗与EMI 需求 首发型号 首批推出10A至100A的EasyPIM™ 与EasyPACK™ 产品
页:
[1]